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4H-SiC MOSFET器件新结构及反向恢复特性研究 | |
论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 SiC MOSFET的发展与现状 | 第14-19页 |
| 1.3 集成肖特基二极管的SiC MOSFET | 第19-21页 |
| 1.4 本文的工作和安排 | 第21-22页 |
| 第二章 SiC MOSFET的工作原理 | 第22-32页 |
| 2.1 SiC MOSFET的静态特性 | 第22-25页 |
| 2.1.1 正向导通特性 | 第22-23页 |
| 2.1.2 阻断特性 | 第23-24页 |
| 2.1.3 体二极管特性 | 第24-25页 |
| 2.2 SiC MOSFET的动态特性 | 第25-29页 |
| 2.2.1 寄生电容与栅电荷 | 第25-28页 |
| 2.2.2 开关过程 | 第28-29页 |
| 2.3 SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 集成肖特基二极管的槽栅SiC MOSFET | 第32-58页 |
| 3.1 器件结构与工作机理 | 第32-34页 |
| 3.2 结构参数设计与仿真 | 第34-43页 |
| 3.2.1 外延层对器件性能的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.2 槽栅对器件性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.3 P型保护层对器件性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.3 S-TMOS的反向恢复特性研究 | 第43-51页 |
| 3.3.1 S-TMOS的反向恢复过程 | 第43-45页 |
| 3.3.2 各参数对反向恢复特性的影响 | 第45-51页 |
| 3.4 新结构与常规MOSFET的性能对比 | 第51-56页 |
| 3.5 工艺流程设计 | 第56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 集成肖特基二极管的分裂栅双槽SiC MOSFET | 第58-73页 |
| 4.1 器件结构与工作机理 | 第58-59页 |
| 4.2 结构参数设计与仿真 | 第59-64页 |
| 4.2.1 槽间距离对器件性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.2.2 源极槽P型注入区对器件性能的影响 | 第61-64页 |
| 4.3 电容与开关特性 | 第64-69页 |
| 4.4 反向恢复特性 | 第69-71页 |
| 4.5 工艺流程设计 | 第71页 |
| 4.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第71-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81页 |
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